講演情報
[9a-N323-4]In融液の完全濡れ現象を利用したSi基板上へのInPの直接製膜
〇(M1)松永 太陽1、今井 友貴1、宇佐美 徳隆1,2,3、勝部 涼司1 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大未来機構)
キーワード：
リン化インジウム、完全濡れ、界面反応
MoOx/Mo/ガラス基板上におけるIn融液の完全濡れ現象が見出され、これを利用して、高品質InPを製膜できることが報告された。完全濡れの発現に必要なMoOxはアモルファス層で良いため、本手法は任意の基板上へ適用できる可能性があり、次世代デバイスへの展開が期待できる。本研究では、Si基板上に製膜したMoOx上におけるIII族金属の濡れ性を調査し、InP薄膜を形成することを目的とした。