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10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[9a-N323-5]Improved radiation hardness of GaAs solar cells using hetero p/n junction structure

〇Tetsuya Nakamura¹, Kentaroh Watanabe², Maui Hino², Meita Asami³, Shota Yamasaki⁴, Shin-ichiro Sato⁴, Naotsugu Nagasawa⁴, Takeshi Ohshima^4,5, Masakazu Sugiyama² (1.JAXA, 2.RCAST, Univ. Tokyo, 3.Univ. Miyazaki, 4.QST, 5.Tohoku Univ.)

Keywords:

space solar cells,Heterojunction,radiation resistance

現在宇宙用として主流のInGaP/GaAs/Ge 3 接合太陽電池の課題の一つは，3接合を構成するサブセルの一つであるGaAs 太陽電池の放射線劣化を抑制できていないことである．本研究では，低濃度InGaPエミッタと高濃度GaAsベースを用いることで，GaAs太陽電池の空乏/中性の両領域での放射線による非発光再結合損失を同時に抑制し，高い耐放射線性を有するGaAs 太陽電池を実現した．

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