講演情報
[9a-N323-5]放射線劣化フリーのGaAs ヘテロpn 接合太陽電池
〇中村 徹哉1、渡辺 健太郎2、日野 眞生2、浅見 明太3、山﨑 翔太4、佐藤 真一郎4、長澤 尚胤4、大島 武4,5、杉山 正和2 (1.JAXA、2.東大先端研、3.宮大工、4.QST、5.東北大工)
キーワード：
宇宙用太陽電池、ヘテロ接合、耐放射線性
現在宇宙用として主流のInGaP/GaAs/Ge 3 接合太陽電池の課題の一つは，3接合を構成するサブセルの一つであるGaAs 太陽電池の放射線劣化を抑制できていないことである．本研究では，低濃度InGaPエミッタと高濃度GaAsベースを用いることで，GaAs太陽電池の空乏/中性の両領域での放射線による非発光再結合損失を同時に抑制し，高い耐放射線性を有するGaAs 太陽電池を実現した．