[9a-N403-1~11] 7.2 Applications and technologies of electron beams

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[9a-N403-7] Visualization of depletion layer dynamics at metal–semiconductor interfaces using scanning ultrafast electron microscopy

〇Gaku Nikorai Okamoto¹, Kensuke Miura¹, Samuel Jeong¹, Shoji Yoshida¹, Jun-ichi Fujita¹, Yusuke Arashida¹ (1.Tsukuba Univ.)

Keywords:

scanning electron microscopy,ultrafast phenomena,depletion area

超高速時間分解走査電子顕微鏡を用い、金属-半導体界面における空乏層の時間発展を43 psの時間分解能で可視化した。光照射後、空乏層が0.6 µm/nsで広がる様子を観測し、金属側と半導体側の電位変化を同時に捉えることに成功した。