Presentation Information
[9a-P02-12]Effect of GST crystallization of the GST capping Layer on the Insulator-Metal Transition properties of epitaxial VO2 films on TiO2(001) substrate
〇(M1)Keisuke Kudo1, Yiqi Liu1, Kunio Okimura1, Joe Sakai2, Satoshi Katano3, Yuji Muraoka4, Masashi Kuwahara5 (1.Graduate School of Engineering, Tokai Univ., 2.Toshima Manufacturing Co., Ltd., 3.Toyo Univ., 4.RIIS, Okayama Univ., 5.AIST)
Keywords:
Vanadium dioxide,GST,Epitaxial growth
二酸化バナジウム(VO2)は 68℃付近で結晶構造相転移を起こしV-V 鎖の距離が変化することで絶縁体-金属転移(IMT)を示す相転移材料である。VO₂は温度変化や電圧印加等によってもIMTを示すが、温度や電圧印加を維持し続けないと金属相を維持できない。本研究では、結晶化の際に体積収縮を伴う材料であるGSTに着目し、GSTの結晶化に伴う歪みをVO₂に加えることで、VO₂の相転移温度変調を試みた。