講演情報
[9a-P02-12]キャップ層 GST 薄膜の結晶化が TiO2(001)基板上エピタキシャル VO2薄膜の絶縁体-金属転移特性に与える影響
〇(M1)工藤 圭介1、劉 意琦1、沖村 邦雄1、坂井 穣2、片野 諭3、村岡 祐治4、桑原 正史5 (1.東海大院工、2.豊島製作所、3.東洋大学、4.岡山大基礎研、5.産業技術総合研究所)
キーワード：
二酸化バナジウム、GST、エピタキシャル成長
二酸化バナジウム(VO2)は 68℃付近で結晶構造相転移を起こしV-V 鎖の距離が変化することで絶縁体-金属転移(IMT)を示す相転移材料である。VO₂は温度変化や電圧印加等によってもIMTを示すが、温度や電圧印加を維持し続けないと金属相を維持できない。本研究では、結晶化の際に体積収縮を伴う材料であるGSTに着目し、GSTの結晶化に伴う歪みをVO₂に加えることで、VO₂の相転移温度変調を試みた。