[9a-P02-1~24] 6.3 Oxide electronics

[9a-P02-19] Crystallization of amorphous Titanium Oxide thin films

〇Koji Arafune¹, Rikuto Yabubayashi¹, Yuki Taketani¹, Keisuke Nakayama¹, Kenji Iimura¹, Kouji Maeda¹ (1.Univ. of Hyogo)

Keywords:

Titanium Oxide,Crystallization,Avrami equation

Si基板上に製膜したアモルファス酸化チタン薄膜に対して熱処理を行い、薄膜の結晶化の進行について検討を行った。280℃の熱処理でも結晶化は起こり、熱処理温度が320℃まではAvrami指数は同程度の値を示した。熱処理温度340℃ではそれ未満の熱処理温度とは異なる値を示した。