[9a-P02-1~24] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[9a-P02-19] アモルファス酸化チタン薄膜の結晶化

〇新船 幸二¹、藪林 陸斗¹、竹谷 有輝¹、中山 慶哉¹、飯村 健次¹、前田 光治¹ (1.兵県大工)

キーワード：

酸化チタン、結晶化、Avrami式

Si基板上に製膜したアモルファス酸化チタン薄膜に対して熱処理を行い、薄膜の結晶化の進行について検討を行った。280℃の熱処理でも結晶化は起こり、熱処理温度が320℃まではAvrami指数は同程度の値を示した。熱処理温度340℃ではそれ未満の熱処理温度とは異なる値を示した。