Presentation Information
[9a-P04-16]Improvement of Simulation Model for Analog Resistance Change Characteristics
〇Takumi Yuasa1, Takumi Hayasi1,2, Yusuke Nishi1 (1.NIT Maizuru College, 2.Osaka Univ.)
Keywords:
Multiphysics Simulation,Analog Change Resistance,tantalum pentoxide
作成したシミュレーションモデルを改良して，実素子での実験における抵抗変化素子に流れる電流値に整合させることを目的とする．結果より，大きい抵抗変化特性を得るためにはフィラメントと酸化タンタルの電気伝導率のギャップが非常に重要であり,酸素空孔が供給された場合に電気伝導率が大きく増加することが理想的であるといえる．