[9a-P04-1~33] 9 Applied Materials Science (Poster)

[9a-P04-2] Preparation and characterization of Nd doped ferroelectric HfO₂ thin films with ¹⁸O enriched layer

〇(M1)Seiyo Yoshida^1,2, Takao Shimizu², Yuka Takagi¹, Isao Sakaguchi² (1.Tokyo Univ. of Sci., 2.NIMS)

Keywords:

HfO2 thin film,isotope 18O,Nd dope

本研究では、NdをドープしたHfO₂薄膜に対して、酸素移動のマーカーとなる¹⁸Oを高濃度に含む層を挿入した積層膜の作製と、その膜の特性評価を行った。その結果、Nd濃度を5％と7%のターゲット製膜した結果、7%で強誘電性が増大することが確認された。また、P-Eヒステリシスの測定結果より、通常の手法によって作製した膜と同等の強誘電性が積層膜でも確認することができた。