Presentation Information
[9a-P04-2]Preparation and characterization of Nd doped ferroelectric HfO2 thin films with 18O enriched layer
〇(M1)Seiyo Yoshida1,2, Takao Shimizu2, Yuka Takagi1, Isao Sakaguchi2 (1.Tokyo Univ. of Sci., 2.NIMS)
Keywords:
HfO2 thin film,isotope 18O,Nd dope
本研究では、NdをドープしたHfO2薄膜に対して、酸素移動のマーカーとなる18Oを高濃度に含む層を挿入した積層膜の作製と、その膜の特性評価を行った。その結果、Nd濃度を5％と7%のターゲット製膜した結果、7%で強誘電性が増大することが確認された。また、P-Eヒステリシスの測定結果より、通常の手法によって作製した膜と同等の強誘電性が積層膜でも確認することができた。