講演情報
[9a-P04-2]高濃度同位体18O層を含む強誘電性NdドープHfO2薄膜の作製と評価
〇(M1)吉田 聖陽1,2、清水 荘雄2、高木 優香1、坂口 勲2 (1.東京理科大学、2.物質・材料研究機構)
キーワード：
HfO2薄膜、同位体18O、Ndドープ
本研究では、NdをドープしたHfO2薄膜に対して、酸素移動のマーカーとなる18Oを高濃度に含む層を挿入した積層膜の作製と、その膜の特性評価を行った。その結果、Nd濃度を5％と7%のターゲット製膜した結果、7%で強誘電性が増大することが確認された。また、P-Eヒステリシスの測定結果より、通常の手法によって作製した膜と同等の強誘電性が積層膜でも確認することができた。