[9a-P05-1~3] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[9a-P05-1] Strain Effects on Density-of-States of p-Type Si and Ge

〇Kazunori Matsuda¹, Masashi Yamamoto², Takashi Kunimoto³, Nobuya Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.NIT Kagawa College, 3.Tokushima Bunri Univ.)

Keywords:

Piezoresistance,Density-of-States

SI,Geでは一軸性性応力により価電子バンドの等エネルギー面が回転楕円体に変形することに加え，変形ポテンシャルにも異方性が生じる．また，有効質量は一軸性応力に垂直な方向で応力とともに変化するため，有効質量状態密度も変わる． 本稿では歪に因る電気伝導の変化の計算において，従来の理論モデルには考慮されていなかったホール密度に含まれる有効状態密度と，緩和時間に含まれる終状態状態密度の影響について報告する．