講演情報
[9a-P05-1]p型Si,Geにおける状態密度の歪効果
〇松田 和典1、山本 雅史2、国本 崇3、森 伸也1 (1.阪大院工、2.香川高専、3.徳文大理工)
キーワード：
ピエゾ抵抗、状態密度
SI,Geでは一軸性性応力により価電子バンドの等エネルギー面が回転楕円体に変形することに加え，変形ポテンシャルにも異方性が生じる．また，有効質量は一軸性応力に垂直な方向で応力とともに変化するため，有効質量状態密度も変わる． 本稿では歪に因る電気伝導の変化の計算において，従来の理論モデルには考慮されていなかったホール密度に含まれる有効状態密度と，緩和時間に含まれる終状態状態密度の影響について報告する．