Presentation Information
[9a-P05-2]Revisiting surface conditions of H/Si(111) after wet-chemical treatment
-From perspective of visualization mechanisms depending on different SPM modes-
〇Ayumi Takahashi1, Az Zahrah Fitriana Syafira1, Naoko Momono1, Kouji Inagaki1, Kenta Arima1 (1.UOsaka.)
Keywords:
non contact Atomic Force Microscopy,Scanning Tunneling Microscopy,Si(111)
次世代電子デバイスでは、多様な半導体表面の構造を精緻に制御することが求められる。これには、原子レベルで表面構造を把握する必要がある。本研究では、原理的には試料の導電性を問わず高い空間分解能を持つ非接触型原子間力顕微鏡（nc-AFM）と走査型トンネル顕微鏡（STM）の両方により、溶液処理後のH/Si(111)表面を観察した。得られた画像を比較すると共に、可視化メカニズムの観点から表面状態を考察した。