Presentation Information
[9a-S203-2]Understanding the interfacial reaction of Bi2Te3/n-Ge and the effects on contact properties
〇(M1C)Mitsutaka Itoo1, Mihyeon Kim1, Shogo Hatayama2, Wen Hsin Chang2, Yuta Saito1,2,3 (1.Tohoku Univ., 2.SFRC, AIST, 3.GXT, Tohoku Univ.)
Keywords:
Germanium,Bismuth Telluride,Contact resistance
Siの微細化限界が迫る中、Siよりもキャリア移動度の高いGeは半導体デバイスの更なる高性能化に向けて注目されているが、金属電極/Ge界面での高い接触抵抗が実用化に向けた課題の一つである。接触抵抗の低減のために、状態密度の観点から半金属のコンタクト材料に対する期待は高まっている。また界面状態の観点からは、結合が終端され表面欠陥の少ない層状物質が接触抵抗を低減すると期待されている。本研究ではBi2Te3とGeにおける界面反応挙動を詳細に解析し、電気的特性に及ぼす影響について調査した。