[9p-N201-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)

[9p-N201-13] Improvement of k_t² of (K,Na)NbO₃ epitaxial thin films by applying DC bias

〇(M2)Chuangsheng Zhang^1,2, Hiroki Uchida^1,2, Yohkoh Shimano^1,2, Takahiko Yanagitani^1,2 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN)

Keywords:

(K,Na)NbO3,electromechanical coupling coefficient,epitaxial growth

本研究では、基板付き(K,Na)NbO3薄膜共振子(KNN HBAR)を作製し、GHz帯における厚み縦モード結合係数k_t²の直流バイアス依存性を評価した。RFマグネトロンスパッタによりKNN薄膜をエピタキシャル成長させ、DCバイアスを印加しながら変換損失を測定した。Masonモデルを用いて得られた理論的な変換損失曲線と比較することで見積もった結果、Na=65%で最大17.2%の高いk_t²を示した。