講演情報
[9p-N201-13](K,Na)NbO3スパッタエピタキシャル薄膜の直流バイアスによるkt2値の向上
〇(M2)張 創昇1,2、内田 拓希1,2、島野 耀康1,2、柳谷 隆彦1,2 (1.早大先進理工、2.材研)
キーワード：
ニオブ酸カリウムナトリウム、電気機械結合係数、エピタキシャル成長
本研究では、基板付き(K,Na)NbO3薄膜共振子(KNN HBAR)を作製し、GHz帯における厚み縦モード結合係数kt2の直流バイアス依存性を評価した。RFマグネトロンスパッタによりKNN薄膜をエピタキシャル成長させ、DCバイアスを印加しながら変換損失を測定した。Masonモデルを用いて得られた理論的な変換損失曲線と比較することで見積もった結果、Na=65%で最大17.2%の高いkt2を示した。