[9p-N201-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N201-8] Electro-optic memristive response mediated by ferroelastic domain

〇He Hao¹, Shinya Kondo¹, Xueyou Yuan¹, Tomoaki Yamada¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:

ferroelectric,electro-optic effect,non-volatile

作製したPb(Zr₀.₆₅Ti₀.₃₅)O₃薄膜は(111)/(111̅)配向の菱面体晶構造を示し、DC電場により強弾性ドメインの分率が変化し、それに伴いEO係数の多段階的変調が観測された。特に、抗電界付近でEO変調が最大となり、印加電場によるドメイン構造変化が応答の起源であることが示唆された。また、このEO応答は不揮発的に保持され、メモリスタ動作として機能することを実証した。