[9p-N201-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[9p-N201-8] Pb(Zr_0.65Ti_0.35)O₃薄膜の強弾性ドメインを用いた電気光学メモリスタ動作の検証

〇Hao He¹、近藤 真矢¹、Yuan Xueyou¹、山田 智明¹ (1.名大工)

キーワード：

強誘電体、電気光学効果、不揮発性

作製したPb(Zr₀.₆₅Ti₀.₃₅)O₃薄膜は(111)/(111̅)配向の菱面体晶構造を示し、DC電場により強弾性ドメインの分率が変化し、それに伴いEO係数の多段階的変調が観測された。特に、抗電界付近でEO変調が最大となり、印加電場によるドメイン構造変化が応答の起源であることが示唆された。また、このEO応答は不揮発的に保持され、メモリスタ動作として機能することを実証した。