[9p-N205-1~8] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9p-N205-3] Optical properties of GaN:Eu,O with controlled excitation efficiency

〇Keito Mori¹, Shuhei Ichikawa¹, Yasufumi Fujiwara², Kazunobu Kojima¹ (1.Osaka Univ., 2.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:

rare earth doped semiconductor,annealing,rate equation

希土類元素のEuに加えてOを共添加したGaN(GaN:Eu,O)は色純度の高い赤色発光を示すことから、赤色μ-LEDの候補として期待されている。本研究では、結晶成長過程でのアニール処理を施し、発光効率向上を目指した。その結果、弱励起領域における外部量子効率が向上し、レート方程式に基づく理論解析から、アニールに伴ってエネルギー輸送効率の高い発光中心の再形成が生じたことがわかった。