講演情報
[9p-N205-3]成長中のアニール処理により励起効率を制御したEu,O共添加GaNの光学特性
〇森 恵人1、市川 修平1、藤原 康文2、小島 一信1 (1.阪大院工、2.立命館大総研)
キーワード：
希土類添加半導体、アニール処理、レート方程式
希土類元素のEuに加えてOを共添加したGaN(GaN:Eu,O)は色純度の高い赤色発光を示すことから、赤色μ-LEDの候補として期待されている。本研究では、結晶成長過程でのアニール処理を施し、発光効率向上を目指した。その結果、弱励起領域における外部量子効率が向上し、レート方程式に基づく理論解析から、アニールに伴ってエネルギー輸送効率の高い発光中心の再形成が生じたことがわかった。