Presentation Information
[9p-N221-14]Radiation tolerance evaluation of high-Q silicon nanocavities: Absorption loss induced by proton and gamma irradiation
〇Ayumi Ishihara1,2, Kohtaku Suzuki3, Wataru Takahama1,2, Kosei Otsuka1, Yasushi Takahashi2 (1.Osaka Met. Univ., 2.Okayama Univ., 3.The Wakasa Wan Energy Research Center)
Keywords:
Silicon Photonics,Radiation tolerance
近年注目される宇宙用シリコンフォトニクス素子の信頼性評価として,高Q値シリコンナノ共振器に陽子線およびガンマ線を照射し,放射線による吸収損失の変化を評価した.陽子線照射で1.61×10⁻² cm⁻¹,ガンマ線照射で1.10×10⁻² cm⁻¹の損失増加が見積もられ,宇宙用シリコンフォトニクス素子開発のための基礎的指針を与えると期待される。