講演情報
[9p-N221-14]高Q値シリコンナノ共振器の放射線耐性評価：陽子線及びガンマ線による吸収損失
〇石原 歩1,2、鈴木 耕拓3、髙濵 渉1,2、大塚 亘晟1、高橋 和2 (1.大阪公立大学、2.岡山大学、3.若狭湾エネルギー研究センター)
キーワード：
シリコンフォトニクス、放射線耐性
近年注目される宇宙用シリコンフォトニクス素子の信頼性評価として，高Q値シリコンナノ共振器に陽子線およびガンマ線を照射し，放射線による吸収損失の変化を評価した．陽子線照射で1.61×10⁻² cm⁻¹，ガンマ線照射で1.10×10⁻² cm⁻¹の損失増加が見積もられ，宇宙用シリコンフォトニクス素子開発のための基礎的指針を与えると期待される。