Presentation Information
[9p-N324-19]Plasma-induced defects ~cryogenic HF plasma etching of SiO2~
〇Shota Nunomura1, Yusuke Imai2, Shih-Nan HSIAO2, Takayoshi Tsutsumi2, Masaru Hori2 (1.AIST, 2.Nagoya Univ.)
Keywords:
cryogenic etching,HF plasma,damage
先端３D NANDフラッシュメモリの製造において、チャネルホールの高速加工にクライオエッチングが導入されつつある。この加工では、約10um厚の絶縁膜（酸化膜/窒化膜スタック）をφ100nm程度の間口で深堀し、アスペクト比100以上を数十分以内に実現する。具体的には、マイナス数十度のクライオ（低温）環境でフッ化水素（HF）ベースのプラズマを用い、被加工材の表面にエッチャント（HF種）や反応生成物（H2Oなど）を吸着させエッチングを進展させる。一方、エッチャントが軽元素かつ反応性に富むため、加工に伴いチェネル側壁や下地シリコンに原子レベル欠陥（ダメージ）を生むことが懸念されるがその詳細は理解されてない。今回、このクライオエッチング由来の欠陥発生とアニールによる欠陥修復を調査したので報告する。