講演情報
[9p-N324-19]プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～酸化膜のクライオエッチング～
〇布村 正太1、今井 祐輔2、HSIAO Shih-Nan2、堤 隆嘉2、堀 勝2 (1.産総研、2.名大)
キーワード：
クライオエッチング、フッ化水素プラズマ、ダメージ
先端３D NANDフラッシュメモリの製造において、チャネルホールの高速加工にクライオエッチングが導入されつつある。この加工では、約10um厚の絶縁膜（酸化膜/窒化膜スタック）をφ100nm程度の間口で深堀し、アスペクト比100以上を数十分以内に実現する。具体的には、マイナス数十度のクライオ（低温）環境でフッ化水素（HF）ベースのプラズマを用い、被加工材の表面にエッチャント（HF種）や反応生成物（H2Oなど）を吸着させエッチングを進展させる。一方、エッチャントが軽元素かつ反応性に富むため、加工に伴いチェネル側壁や下地シリコンに原子レベル欠陥（ダメージ）を生むことが懸念されるがその詳細は理解されてない。今回、このクライオエッチング由来の欠陥発生とアニールによる欠陥修復を調査したので報告する。