Presentation Information
[9p-P05-2]Annealing Time Dependence of Voids at InP/Si Hydrophilic Bonding Interface
〇(M2)Chaoke Ban1, Liang Zhao1, Kazuhiko Shimomura1 (1.Sophia University)
Keywords:
hydrophilic bonding,silicon photonics,wafer bonding
親水性直接貼付法によって作製したInP/Si基板において、アニール時間が接合界面のボイド特性に与える影響を評価した。アニール時間を8h、12h、45hに変化させた結果、ボイド占有率と密度はいずれも時間の延長に伴い減少した。特に、45hでは約40%以上の低減が得られ、長時間の加熱により脱水縮合で生じたH₂Oの排出が促進されることが示唆された。