講演情報
[9p-P05-2]InP/Si親水性貼付け界面におけるVoidのアニーリング時間依存性評価
〇(M2)班 朝克1、趙 亮1、下村 和彦1 (1.上智大学理工学部)
キーワード：
親水性接合、シリコンフォトニクス、ウェハ接合
親水性直接貼付法によって作製したInP/Si基板において、アニール時間が接合界面のボイド特性に与える影響を評価した。アニール時間を8h、12h、45hに変化させた結果、ボイド占有率と密度はいずれも時間の延長に伴い減少した。特に、45hでは約40%以上の低減が得られ、長時間の加熱により脱水縮合で生じたH₂Oの排出が促進されることが示唆された。