[9p-P05-1~4] 3.12 Semiconductor optical devices

[9p-P05-3] Investigation of recess structure for operating wavelength control of
Ge wire photodetector on Si

〇(M2)Miyasaka Taichi¹, Joshua Chombo¹, Jose A. Piedra-Lorenzana¹, Takeshi Hizawa¹, Junichi Fujikata², Yasuhiko Ishikawa¹ (1.Toyohasshi Univ. Tech., 2.Tokushima Univ.)

Keywords:

Germanium epitaxial layer,Lattice strain,Recess structure

シリコンフォトニクスにおいてGe受光器が利用されている。Si上Geエピタキシャル層には引張格子ひずみ（約0.2%）が存在する。直接遷移バンドギャップの縮小により，光吸収端が1550 nmから約1610 nmまで長波長化する。C帯およびL帯での受光効率向上に寄与している。一方，サブミクロンGe細線受光器ではGe細線の弾性変形による格子ひずみの緩和が起こり，受光効率が低下する。格子ひずみの緩和を防ぐリセス構造の検討を行ったので報告する。