[9p-P05-1~4] 3.12 半導体光デバイス

[9p-P05-3] Si上Ge細線受光器の動作波長制御に向けたリセス構造の検討

〇(M2)宮坂 泰地¹、Chombo Joshua¹、Piedra-Lorenzana Jose A.¹、飛沢 健¹、藤方 潤一²、石川 靖彦¹ (1.豊橋技科大、2.徳島大)

キーワード：

ゲルマニウムエピタキシャル層、格子ひずみ、リセス構造

シリコンフォトニクスにおいてGe受光器が利用されている。Si上Geエピタキシャル層には引張格子ひずみ（約0.2%）が存在する。直接遷移バンドギャップの縮小により，光吸収端が1550 nmから約1610 nmまで長波長化する。C帯およびL帯での受光効率向上に寄与している。一方，サブミクロンGe細線受光器ではGe細線の弾性変形による格子ひずみの緩和が起こり，受光効率が低下する。格子ひずみの緩和を防ぐリセス構造の検討を行ったので報告する。