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[9p-P12-2]Investigation of carrier lifetime in thin double-stacked quantum dot structures

〇Yuto Yamaoka1, Noriyuki Taoka1, Wakana Takeuchi1, Takeyoshi Sugaya2, Keshiro Goshima1 (1.AIT, 2.AIST)

Keywords:

quantum dot

積層構造の量子ドットレーザーへの応用を目的に、InGaAs/GaAs積層量子ドットにおけるドット間隔の違いがキャリアの緩和過程に与える影響を調べた。ドット間隔10/7/3nmの試料で発光寿命を測定し、電子・正孔の空間分布に関するシミュレーションを用いて発光寿命の違いを議論する。