[9p-P12-1~18] 13.8 光物性・発光デバイス

[9p-P12-2] 2層積層構造量子ドットの発光寿命の解析

〇山岡 勇登¹、田岡 紀之¹、竹内 和歌奈¹、菅谷 武芳²、五島 敬史郎¹ (1.愛工大工、2.産総研)

キーワード：

量子ドット

積層構造の量子ドットレーザーへの応用を目的に、InGaAs/GaAs積層量子ドットにおけるドット間隔の違いがキャリアの緩和過程に与える影響を調べた。ドット間隔10/7/3nmの試料で発光寿命を測定し、電子・正孔の空間分布に関するシミュレーションを用いて発光寿命の違いを議論する。