Presentation Information
[9p-P15-3]Deposition and annealing effect of Cat-CVD SiOxNypassivation films
〇(M1)Yinuo Song1, Kensaku Maeda1, Keisuke Ohdaira1 (1.JAIST)
Keywords:
Silicon oxynitride,Surface passivation,Cat-CVD
Cat-CVD法によりSiウェハ上にSiOₓNyパッシベーション膜を堆積し、アニールによるパッシベーション性能の変化を実効少数キャリア寿命の測定を通して評価した。アニール温度の上昇により性能は向上し、特に300 °Cで顕著な改善が見られた。水素による欠陥修復や界面構造の改善が示唆される。一方、それ以上の温度でのアニールでは劣化が観測された。水素脱離の影響が考えられる。