講演情報
[9p-P15-3]Cat-CVD法によるSiOxNyパッシベーション膜の堆積とアニール効果
〇(M1)宋 一諾1、前田 健作1、大平 圭介1 (1.北陸先端大)
キーワード：
酸窒化Si、表面パッシベーション、触媒化学気相堆積
Cat-CVD法によりSiウェハ上にSiOₓNyパッシベーション膜を堆積し、アニールによるパッシベーション性能の変化を実効少数キャリア寿命の測定を通して評価した。アニール温度の上昇により性能は向上し、特に300 °Cで顕著な改善が見られた。水素による欠陥修復や界面構造の改善が示唆される。一方、それ以上の温度でのアニールでは劣化が観測された。水素脱離の影響が考えられる。