[14a-P01-1~43] 2 Ionizing Radiation (Poster)

[14a-P01-29] Assessments of heavy ion induced SEUs with sub-100nm FPGA devices

〇Mayu Tominaga¹, Ryu Kiuchi¹, Yuji Sunada¹, Nagomi Uchida¹, Hidenori Iwashita^1,2, Yoshiharu Hiroshima¹, Takashi Ikeda¹, Hirotaka Sato², Takashi Kamiyama², Michihiro Furusaka², Yoshiaki Kiyanagi² (1.NTT, 2.Hokkaido Univ.)

Keywords:

semiconductor,single event upset

近年の民間企業の宇宙進出に伴い、宇宙機に安価かつ高性能な地上民生機器が活用されつつある。しかし、宇宙放射線起因のシングルイベント効果は、運用期間の長短にかかわらず通信障害やシステム異常を引き起こす可能性がある。特に、昨今の半導体デバイスの微細化・高集積化によりビット反転現象(Single Event Upset; SEU)を引き起こす臨界電荷量は低下し、SEUの増加が問題となっている。そこで我々は地上用半導体デバイスの宇宙転用の可能性を探ることを目的とし、比較的新しいFPGAデバイスにおけるSEUを地上施設での放射線試験により評価した。