[15a-K207-1~11] 17.2 Graphene

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[15a-K207-6] Epitaxial growth-assisted high crystallization of graphene oxide

〇(M1)Satoshi Kanda¹, Ukai Tomofumi², Kurosu Shunji², Hanajiri Tatsuro^1,2, Maekawa Toru², Nishina Yuta³, Negishi Ryota^1,2 (1.Toyo Univ., 2.BNC, 3.Okayama Univ.)

Keywords:

Graphene oxide,Epitaxial growth

酸化グラフェン(GO)は、欠陥構造や酸素含有基を持ち、電気的に絶縁体となるが、高温エタノール還元により高結晶性の還元型酸化グラフェン(rGO)薄膜を形成できる。本研究では、還元過程で生成する炭素前駆体がGOの欠陥を修復し、表面に堆積することでホモエピタキシャル成長を促進し、rGO薄膜の結晶性が飛躍的に向上することを見出した。