[15a-K503-1~9] 6.1 Ferroelectric thin films

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[15a-K503-1] Crystal Structure Dependency of Switching Properties

〇(M1)Shunpei Kawano¹, Kazuki Okamoto¹, Sotaro Kageyama¹, Nana Sun¹, Shinosuke Yasuoka¹, Hiroshi Funakubo¹ (1.Science Tokyo)

Keywords:

Ferroelectric materials

強誘電体は圧電性や焦電性を有する誘電体であり、その強誘電性はメモリーとして交通系ICカード等に利用されている。近年、従来の強誘電材料に代わる材料として窒化物強誘電体への期待が高まっている。(Al,Sc)N強誘電体薄膜は分極反転に必要な抗電界(E_c)が大きいことが課題である。抗電界(Ec)の低下に向け、(Al,Sc)N強誘電体薄膜のスイッチング特性の解明は重要であり、盛んに研究されている。また、スイッチング時間はメモリ応用に重要であり、(Al,Sc)N強誘電体薄膜は従来の強誘電体材料と比較して早いスイッチング時間が報告されている。本研究では、反応性スパッタリング法を用いて結晶構造の異なる(Al,Sc)N膜の合成を行い、そのスイッチング特性に結晶構造が及ぼす影響について調査を行ったので報告する。