[15a-P06-1~13] 16 Amorphous and Microcrystalline Materials (Poster)

[15a-P06-8] Passivation of the edges of crystalline Si solar cells by Cat-CVD silicon nitride

〇(M1)Ming Qi¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:

Passivation of the edges

触媒化学気相堆積（Cat-CVD）法を用いて結晶シリコン太陽電池の端面に窒化シリコン膜を堆積し、キャリア再結合速度の低減を試みた。n型フロントエミッタ型シリコン電池の切断面に窒化シリコン膜を堆積した試料を用い、暗状態および疑似太陽光照射下で評価を行った結果、未パッシベーション時と比較して開放電圧（Voc）がわずかに上昇した。この結果より、端面への窒化シリコン膜堆積がキャリア再結合抑制に有効であることが示された。