[15p-P07-1~60] 10 Spintronics and Magnetics (Poster)

[15p-P07-47] Fabrication and evaluation of heavily-doped p-type Si layer for semiconductor-based spin devices

〇(M1C)Yixi Li¹, Shu Taniguchi¹, Tomoaki Abe¹, Mizue Ishikawa¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:

spintronics

半導体エレクトロニクスにおいて，更なる高性能化を実現するためスピントロニクスが注目されている。そのスピントロニクスを利用したスピン素子を実現するためには，スピン信号の観測が不可欠である。スピン信号を観測するためには，強磁性体からスピン偏極した電子をシリコンのような半導体へ効率良く注入する必要がある。これまでの研究より，高濃度Si層の表面粗さがスピン信号に影響することを明らかにしてきた。そこで本研究では，高濃度p型Si層に着目し，その作製条件と表面粗さの関係を評価することを目的とした。