[16a-K401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[16a-K401-1] Reduction of surface defects in red-emitting InGaN quantum wells

〇Yoshinobu Matsuda¹, Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

nitride semiconductor,InGaN,surface defect

InGaN LED は高効率フルカラー光源として有望である．しかし，青色および緑色LED に比べて，赤色LED の発光効率は著しく低く，高効率化に資するエピタキシャル成長技術の確立が不可欠である．表面欠陥の一つであるトレンチ欠陥は，高In 組成を必要とする赤色領域で特に顕著に現れ，InGaN 活性層の発光特性を低下させる要因となる．本研究では，微傾斜(0001)GaN 表面がトレンチ欠陥の低減に効果的であることを見出したので報告する．