[16p-K307-1~17] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-K307-17] Fabrication and characterization of memory devices equipped with Preyssler-type polyoxometalate

〇Masaki Arima¹, Kazushi Takeda¹, Rikuto Tamatani¹, Yuki Nakano¹, Chisato Kato¹, Jun Manabe¹, Masaru Fujibayashi², Goulven Cosquer^3,4, Katuya Inoue^1,3,4, Sadafumi Nishihara^1,3,5 (1.Grad. Sch. Adv. Sci. Eng. Hiroshima Univ., 2.NIT, Ube College, 3.CResCent, Hiroshima Univ., 4.WPI-SKCM2, Hiroshima Univ., 5.PRESTO, JST)

Keywords:

Ferroelectrics,Dielectrics,Memory devices

強誘電性は結晶の対称性に基づくバルクな物性である為，微細化限界があると考えられていた。一方当研究室では，籠型分子であるプレイスラー型ポリオキソメタレートが単一分子で恰も強誘電体の様に振る舞うことを報告し，これを「単分子誘電体」と名付けた。当研究では，この特異な誘電物性を示す「単分子誘電体」を用いた新規メモリデバイスの開発及び伝達特性の評価を実施した。