[16p-K309-1~10] 3.12 Semiconductor optical devices

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[16p-K309-4] Dark current reduction in pin photodetector using Ge layer on Si substrate

Koji Abe¹, 〇Ryoya Ogura¹, Yuki Yoshino¹, Naoki Hamada¹, Piedra-Lorenzana Jose A.¹, Takeshi Hizawa¹, Yasuhiko Ishikawa¹ (1.Toyohashi Univ. Tech.)

Keywords:

germanium,photodetector,dark current

シリコンフォトニクスにおいて、Si上Ge層を光吸収層とする近赤外受光器(PD)が利用されている。PDの性能には高受光効率・高周波応答等が挙げられるが、低暗電流も重要である。暗電流は接合面積に依存する成分と周辺長に依存する成分に大別される。サイズが10 µm程度になると、周辺長に依存する暗電流が支配的になる。本研究ではGe pin PDにおいて、i-Ge光吸収層をメサ構造として電気的に周辺と分離する効果を調べたので報告する。