[16p-K309-1~10] 3.12 Semiconductor optical devices

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[16p-K309-6] Injection-position-affection in asymmetric nano-pixel power splitter

〇(B)Takuma Haraguchi¹, Haisong Jiamg^1,2, Kiichi Hamamoto^1,2 (1.Kyushu Univ., 2.Graduate school, Kyushu .Univ)

Keywords:

asymmetric power splitter,nano-pixel,split-ratio

ナノピクセルを用いた非対象パワースプリッターを検討している。既に9:1分岐比を実現しているが、光入射位置が中心から変動すると、その分岐特性が変化する可能性がある。そこで本研究では、光入射位置変動に対する特性変動を検討した。 その結果、±0.1µmの位置変動に対し、7:1～20:1程度に分岐比が変動することを確認した。