[17p-K308-1~12] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-K308-10] Investigation of potential application of melt-free Cr-Te thin films to nonvolatile memory

〇(M1)Takuya Tsuruta¹, Yi Shuang^1,2, Daisuke Ando¹, Yuji Sutou^1,2 (1.Tohoku Univ. (Eng.), 2.Tohoku Univ. (AIMR))

Keywords:

phase change material,phase change memory,Cr-Te thin film

相変化メモリとは、異なる相間での可逆的な相変化に伴う抵抗変化によって情報を記録するメモリであり、その性能は相変化材料に依存している。従来の相変化材料ではアモルファス相を介す相変化であったため、消費エネルギーが高くなる課題を有していた。そこで本研究では、アモルファス相を介さず結晶/結晶間で相変化する材料の発見を目的にCr-Te二元系材料に注目し、相変化挙動および不揮発性メモリへの応用可能性について調査した。