[10a-A21-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-A21-11] The Effect of Sequential Nitrogen Ion Implantation on Shallow Electron Trap Density in Low-Concentration Mg-Ion-Implanted and Ultra-High-Pressure Annealed p-GaN Layers

〇Yuto Iwase¹, Honoka Itakura¹, Masahiro Horita^1,2, Tetsu Kachi², Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMass)

Keywords:

Gallium Nitride,Mg ion implantation,low-frequency DLTS

Mgイオン注入とUHPAを行ったp-GaN中の点欠陥評価に向け、低周波DLTS測定系を構築することで約150 K以上での測定を可能にし、浅い準位のトラップの評価を行った。Mgのみを注入した試料で観測された電子トラップに対応する2つの負のピークは、MgとNを注入した試料では消失し、Nイオン連続注入による窒素空孔関連欠陥の低減が示唆された。