講演情報
[10a-A21-11]低濃度Mgイオン注入および超高圧アニールを行ったp型GaN層の浅い電子トラップ密度に対するNイオン連続注入の効果
〇岩瀬 友杜1、板倉 ほの香1、堀田 昌宏1,2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
キーワード：
窒化ガリウム、Mgイオン注入、低周波DLTS
Mgイオン注入とUHPAを行ったp-GaN中の点欠陥評価に向け、低周波DLTS測定系を構築することで約150 K以上での測定を可能にし、浅い準位のトラップの評価を行った。Mgのみを注入した試料で観測された電子トラップに対応する2つの負のピークは、MgとNを注入した試料では消失し、Nイオン連続注入による窒素空孔関連欠陥の低減が示唆された。