[10a-A21-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[10a-A21-2] TCAD Analysis of the real part of low frequency Y22 in GaN HEMTs with buffer traps

〇Tomohiro Otsuka¹, Yoshitaka Niida¹, Seiji Fujiwara¹, Ken Nakata¹ (1.Sumitomo Electric)

Keywords:

GaN,Trap,Device simulation

GaN HEMTにおける低周波Yパラメータ特性について、Y22実部に着目したTCAD解析結果について報告する。本検証ではGaN HEMTのバッファトラップに着目し、トラップ無し、ゲートソース間のみトラップ有、トラップ有の3種類のTCADモデルを検証に用いた。TCAD計算の結果、低周波側と高周波側を切り分けてトラップの影響を考察する必要があることが示唆された。