講演情報
[10a-A21-2]GaN HEMTバッファトラップの低周波Y22実部に対するTCAD解析
〇大塚 友絢1、新井田 佳孝1、藤原 誠司1、中田 健1 (1.住友電工)
キーワード：
GaN、トラップ、デバイスシミュレーション
GaN HEMTにおける低周波Yパラメータ特性について、Y22実部に着目したTCAD解析結果について報告する。本検証ではGaN HEMTのバッファトラップに着目し、トラップ無し、ゲートソース間のみトラップ有、トラップ有の3種類のTCADモデルを検証に用いた。TCAD計算の結果、低周波側と高周波側を切り分けてトラップの影響を考察する必要があることが示唆された。