Presentation Information
[10a-A21-5]Recovery enhancement of threshold voltage shift by sub-Eg light irradiation under high-temperature positive bias stress in AlSiO gate oxide GaN MOSFETs
〇Yuki Ichikawa1, Takumi Hirata1, Masakazu Kanechika2, Tetsu Kachi2, Jun Suda1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)
Keywords:
Gallium Nitride,MOSFET,Threshold voltage shift
AlSiOゲート絶縁膜を有するGaN MOSFETにおいて、様々な測定温度条件での正バイアスストレス下でのしきい値電圧シフト後のSub-Eg光照射時の回復特性について評価した。室温や50℃ではGaN/AlSiOのコンダクションバンドオフセット(=ΔEC)と同等のエネルギをー持つ光照射によりVTHがほぼ初期値まで回復した一方，100 ℃および150 ℃では初期値との差が残存した。これは我々が提案する高温時ではΔEC程度のエネルギーでは励起できないエネルギー的に深いエネルギーに電子が捕獲されるマルチフォノンアシストトンネリングモデルと整合する。