講演情報
[10a-A21-5]AlSiOゲート酸化膜GaN MOSFETの高温正バイアスストレスによるしきい値電圧変動のSub-Eg光照射時の回復促進挙動
〇市川 雄基1、平田 拓巳1、兼近 将一2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研究)
キーワード：
窒化ガリウム、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、しきい値電圧変動
AlSiOゲート絶縁膜を有するGaN MOSFETにおいて、様々な測定温度条件での正バイアスストレス下でのしきい値電圧シフト後のSub-Eg光照射時の回復特性について評価した。室温や50℃ではGaN/AlSiOのコンダクションバンドオフセット(=ΔEC)と同等のエネルギをー持つ光照射によりVTHがほぼ初期値まで回復した一方，100 ℃および150 ℃では初期値との差が残存した。これは我々が提案する高温時ではΔEC程度のエネルギーでは励起できないエネルギー的に深いエネルギーに電子が捕獲されるマルチフォノンアシストトンネリングモデルと整合する。