[10a-A21-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[10a-A21-6] Interface states in AlSiO/AlN/p-type GaN MOSFETs evaluated by drain current models

〇Hitoshi Takane¹, Tetsuo Narita¹, Kenji Ito^1,2, Hiroko Iguchi¹, Shiro Iwasaki¹, Daigo Kikuta¹ (1.Toyota Central R&D Labs., Inc., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:

Vertical GaN power device,GaN MOSFET

I_D–V_G特性を解析することで、横型MOSFET（c面チャネル）と縦型トレンチゲートMOSFET（m面チャネル）のGaN伝導帯下端近傍における界面状態を比較評価した。